常规的PFC+LLC电路设计正常效率在93%以下。 主要是因为电路上高压硅MOSFET的损耗很大使效率很难提高，
虽然现在有cool-MOSFET，但依然存在着不足，虽然Rds(on)很小了，但死区时间较大。开关周期中体内寄生的二极管
存有损耗。使得效率无法进一步提高。同时由于硅材料的物理特性，高压MOSFET工作频率很难再提高，正常超过150K HZ
MOSFET的损耗会成倍地加大。
新型MOSFET采用的是氮化镓材质，在体内没有寄生二极管。同时氮化镓MOSFET的体内寄生参数相对COOL-MOSFET来说小很多
不管是结电容还是门极驱动电荷Qg,均不是一个级别的小。
氮化镓是高频器件，可以跑很高的开关频率，200K--10M开关频率。而硅材料能只150K以下/600V器件，硅MOSFET高频后发热很严重。

但氮化镓MOSFET高频后基本差不多，不会带来热的问题。

目前市场走小型化，高功率密度化，氮化镓是必然的方向。

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氮化镓MOSFET 1000W无整流桥PFC，效率99.3%.pdf

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